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0 引言
随着数据处理系统智能化程度的越来越高，经常需要在无人干预的情况下，自动加载某些数据或参数到系统工作单元，以保证系统的正常工作。这些数据或参数通常都以数据文件形式保存在大容量、低功耗、可快速重复擦写的存储器中，而且掉电后数据不丢失，以便用户根据需要随时读取。S29AL016D70能很好的满足这些需求。
1 闪存S29AL016D简介
1．1 主要性能
S29AL016D70是Spansion公司生产的容量为2Mx8 bit／1 Mx16 bit的闪存器件，该器件采用3 V供电，访问时间为70 ns，工作温度范围为-40℃～125℃，静态电流200 nA，读数据电流为9 mA，擦写数据电流为20 mA可擦写次数在一百万次以上，具有存储容量大，速度快，功耗低等优点。S29AL016D的芯片逻辑图如图1所示。其中，A0～A19和D0～D15分别为地址线和数据线，CE为片选信号，低有效；OE为输出使能信号，低有效；WE是写选通信号，低有效；BYTE为8位或16位数据模式选择端，低电平为8位，高电平为16位。采用8位模式时，DO～D7为有效数据线，D15为地址线：RY/BY为准备好和忙状态输出。S29AL016D70内部包括35个数据段(Sector)，其中段0到段30为64 KB，段31为32KB，段32、33为8 KB，段34为16 KB。
1．2 操作模式
S29AL016D70的操作模式如表1所列，实际工作中，经常用到的操作包括片擦除、段擦除、写入数据、读出数据等。
2 应用设计
2．1 硬件设计
根据设计需要，可利用数字信号处理器DSP通过双口RAM和232串行通信获得数据，并将数据保存在FLASH对应地址。
FLASH的数据读写有8位数据读写和16位数据读写两种方式。
利用232串口通信时，收发的数据大多都是8位。若在16位数据工作模式下，直接写入要浪费一半存储区，否则需将两个8位字节数据拼成一个16位字数据再写入，也会消耗很多工作时间，而采用8位数据工作模式，则不需要进行数据拼接，使用比较方便。因此，实际工作中，大多采用8位数据工作模式。同样，双口RAM也采用8位数据的双口RAM，设计中可使用IDT7132。图2所示是其硬件连接原理图。
工作中，若采用16位数据工作模式，只需将FLASH芯片的BYTE脚接至高电平即可。
2．2 操作模式
要向FLASH写入数据，必须先对FLASH进行擦除操作。擦出操作可通过给FIASH芯片写入擦除指令时序来完成，擦除的结果是将FLASH存储区中所有数据变为0xff(8位)或0xffff(16位)，这样，可以方便地写入数据。
作者：石德锋 中国电子科技集团 来源：电子元器件应用
