基于SPIFI外设的Cortex-M MCU嵌入式闪存选型解决方案

新型恩智浦ARM Cortex-M3微控制器首次采用的SPI闪存接口技术(SPIFI,已申请专利)可以帮助32位嵌入式系统设计人员以小尺寸、低成本的串行闪存替代大尺寸、高成本的并行闪存。利用SPIFI (读音与spiffy谐音,意为“出色、整洁、漂亮”等——译注),外部串行闪存可以映射到微控制器内存中,达到片上内存读取效果。新技术可以解决传统嵌入式系统外部闪存选型难题,为设计人员在保持系统性能的同时缩小尺寸及降低成本提供了一条新途径。

目前恩智浦开发出一种新型外设接口技术,该技术在基于ARM Cortex-M3内核的最新LPC1800微控制器上已得到成功应用。嵌入式系统设计人员利用该技术可将串行闪存取代并行闪存,缩小封装尺寸,降低系统成本。这种称为SPI闪存接口(SPIFI)的技术目前已申请专利,通过该技术可将外部串行闪存映射到微控制器内存,实现片上内存读取效果。SPIFI为设计人员提供了一种创新解决方案,在保持系统性能的同时达到简化配置、缩小封装体积、减少板载空间占用和节约系统成本的目的。

外部闪存的作用

采用32位微控制器(MCU)的嵌入式应用目前越来越复杂,需要完成多媒体、照片和其他各种数据密集型内容的管理任务。特别是人机接口系统,用户现在都希望有图形显示,通过窗口、图片、动画、声音和其他多媒体方式实现人机对话。此外,随着市场的国际化,产品需要满足多国语言要求,支持各种字母和字符。所有这些都对系统存储资源提出了更高要求。

大部分32位微控制器都配有片上闪存,用于支持各种数据密集型功能,但是这种内存容量有限,通常无法满足整体应用要求。片上闪存通常不足1Mb,虽然能够解决主要应用代码存储,却无法满足其他应用资料的保存要求,比如:查找表单、图像、照片、声音文件、多国语言等。为此,设计人员通常要使用外部闪存。

与片上闪存相比,外部闪存成本要低很多,而且通常都有8Mb以上的现货。使用外部闪存可以增加系统灵活性,系统运行时能够更新升级软件。

并行闪存与串行闪存的艰难选择

对于外部闪存选型(串行和并行),设计人员通常要综合评估,折衷考虑。并行闪存的速度通常比串行闪存快,但需要使用更多管脚、PCB布线和板载空间。

图1给出了串行和并行闪存典型的数据传输速率。对于并行闪存,图中假定无缓冲,固定存取时间为90ns。基于上述条件,16位并行闪存的最大传输速率22Mb/s。对于串行闪存,最大时钟频率80MHz的每位传输速率为80Mb/s,四通道串行闪存最大传输速率为40Mb/s。虽然该计算忽略了控制位,但四通道SPI闪存支持burst位,而SPIFI接口支持该功能,因此SPIFI接口可以达到上述传输速率。

图1:串行和并行闪存的典型传输速率。

如图1所示,典型的16位并行闪存每秒传输速率为20Mb。对于使用32位微控制器和32位外部闪存通信总线的系统(如恩智浦产品),设计人员可以选择使用两个16位并行闪存达到40Mb/s的传输速率。但是,增加速度的同时也会增加成本。这种配置使用两个独立的并行闪存,每个闪存有数十个封装管脚,无论是封装尺寸、管脚数量,还是PCB空间占用,都会远远超出设计人员的承受范围。

作者:Rob Cosaro 来源:恩智浦半导体


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